簡(jiǎn)要描述:III-V族長(zhǎng)波紅外探測(cè)器光敏材料為InAsSb,符合嚴(yán)苛的歐洲環(huán)保標(biāo)準(zhǔn);1.8-12微米寬波長(zhǎng)響應(yīng),覆蓋從短波到長(zhǎng)波紅外;無(wú)需制冷工作在室溫環(huán)境;工作方式為光伏探測(cè),前置放大電路簡(jiǎn)單。相對(duì)于碲鎘汞材料的PCI光導(dǎo)長(zhǎng)波探測(cè)器,具有很好的低頻噪聲特性,可以用于直流或低頻紅外信號(hào)探測(cè)。
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品牌 | VIGO PHOTONICS | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
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產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,能源,電子,航天 |
波長(zhǎng)響應(yīng)范圍: | 1.8-12微米 | 信號(hào)探測(cè)頻率: | DC到高頻 |
峰值響應(yīng)率: | Ri>0.14A/W(典型) | 峰值探測(cè)率: | D*>7.7E9(典型) |
制冷方式: | 非制冷,室溫工作 | 響應(yīng)時(shí)間: | 1.65納秒(典型) |
品牌 | VIGO PHOTONICS | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
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產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,能源,電子,航天 |
波長(zhǎng)響應(yīng)范圍: | 1.8-12微米 | 信號(hào)探測(cè)頻率: | DC到高頻 |
峰值響應(yīng)率: | Ri>0.14A/W(典型) | 峰值探測(cè)率: | D*>7.7E9(典型) |
制冷方式: | 非制冷,室溫工作 | 響應(yīng)時(shí)間: | 1.65納秒(典型) |
III-V族長(zhǎng)波紅外探測(cè)器光敏材料為InAsSb,帶有超半球浸沒(méi)透鏡;波長(zhǎng)響應(yīng)為1.8-12微米、有寬的波長(zhǎng)響應(yīng)域,覆蓋從短波到長(zhǎng)波紅外;無(wú)需制冷工作在室溫環(huán)境;工作方式為光伏探測(cè),前置放大電路簡(jiǎn)單。相對(duì)于碲鎘汞材料的PCI光導(dǎo)長(zhǎng)波探測(cè)器,具有很好的低頻噪聲特性,可以用于直流或低頻紅外信號(hào)探測(cè)。
III-V族長(zhǎng)波紅外探測(cè)器的主要技術(shù)指標(biāo):
工作環(huán)境溫度:20 攝氏度(室溫);
波長(zhǎng)響應(yīng)范圍:1.8-12微米
峰值響應(yīng)波長(zhǎng):7.1微米;
峰值電流響應(yīng)率Ri:> 0.14 A/W(典型);
峰值探測(cè)率D*:>7.7x109(典型);
1.8微米處響應(yīng)率:>10%峰值響應(yīng)率;
12微米處響應(yīng)率:>10%峰值響應(yīng)率;
響應(yīng)時(shí)間:<1.65 納秒(典型)
封裝:TO-39;
入射角:>36 度
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